مكثفات ترشيح التيار المتردد عالية الأداء بالجملة من الصين - مكثفات التخميد المحورية GTO - CRE

مكثفات ترشيح التيار المتردد عالية الأداء بالجملة من الصين - مكثفات التخميد المحورية GTO - صورة مميزة من CRE

وصف مختصر:

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا قم بالتنزيل كملف PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

فيديو ذو صلة

التعليقات (2)

نعتمد على قوة تقنية متينة ونعمل باستمرار على ابتكار تقنيات متطورة لتلبية الطلبمكثف إلكتروني عالي الجهد , مكثف تسخين بالحث ذو فقد منخفض للطاقة , مكثف تيار متردد لتحسين جودة الطاقة وموثوقيتهاباختصار، باختياركم لنا، تختارون حياة مثالية. نرحب بزيارتكم لمصنعنا ونتطلع إلى طلباتكم! لأي استفسارات أخرى، لا تترددوا في التواصل معنا.

مكثفات ترشيح التيار المتردد عالية الأداء بالجملة من الصين - مكثفات التخميد المحورية GTO - تفاصيل CRE:

البيانات الفنية

نطاق درجة حرارة التشغيل	أقصى درجة حرارة تشغيل، الحد الأقصى العلوي: +85 درجة مئوية، درجة حرارة الفئة العليا: +85 درجة مئوية، درجة حرارة الفئة الدنيا: -40 درجة مئوية
نطاق السعة	0.1 ميكروفاراد ~ 5.6 ميكروفاراد
الجهد المقنن	630 فولت تيار مستمر ~ 2000 فولت تيار مستمر
كاب.تول	±5%(J) ؛ ±10%(K)
تحمل الجهد	1.5 وحدة تيار مستمر/10 خلايا
عامل التبديد	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
مقاومة العزل	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (عند 20 درجة مئوية 100 فولت تيار مستمر 60 ثانية) C>0.33μF RS*C≥5000S (عند 20 درجة مئوية 100 فولت تيار مستمر 60 ثانية)
مقاومة التيار الكهربائي
متوسط العمر المتوقع	100000 ساعة (Un؛ Θhotspot<85 درجة مئوية)
المعيار المرجعي	IEC 61071؛ IEC 61881؛ GB/T17702

طلب

1. دائرة تخميد IGBT.

2. يستخدم على نطاق واسع في معدات إلكترونيات الطاقة عند ذروة الجهد، وحماية امتصاص ذروة التيار.

رسم تخطيطي

مكثف محوري SMJ-TE
الجهد االكهربى		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V

السعة (ميكروفاراد)	L (مم ± 1)	T (مم ± 1)	H (مم ± 1)	φd (مم)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2

الجهد االكهربى			Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
السعة (ميكروفاراد)	L (مم ± 1)	T (مم ± 1)	H (مم ± 1)	φd (مم)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

الجهد االكهربى			Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
السعة (ميكروفاراد)	L (مم ± 1)	T (مم ± 1)	H (مم ± 1)	φd (مم)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2

الجهد االكهربى			Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
السعة (ميكروفاراد)	L (مم ± 1)	T (مم ± 1)	H (مم ± 1)	φd (مم)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2

الجهد االكهربى			Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
السعة (ميكروفاراد)	L (مم ± 1)	T (مم ± 1)	H (مم ± 1)	φd (مم)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8

الجهد االكهربى			Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
السعة (ميكروفاراد)	L (مم ± 1)	T (مم ± 1)	H (مم ± 1)	φd (مم)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

صور تفصيلية للمنتج:

دليل المنتجات ذات الصلة:

أجهزة مُدارة بكفاءة، وفريق أرباح خبير، وشركات خدمات ما بعد البيع متميزة؛ لقد كنا أيضًا عائلة واحدة متماسكة، يلتزم الجميع بقيم المؤسسة المتمثلة في "الوحدة، والعزيمة، والتسامح" فيما يخص مكثفات ترشيح التيار المتردد عالية الأداء بالجملة في الصين - مكثفات التخميد المحورية GTO - CRE. سيتم توريد المنتج إلى جميع أنحاء العالم، مثل: إستونيا، وأستراليا، ومولدوفا. جميع منتجاتنا متوافقة مع معايير الجودة الدولية وتحظى بتقدير كبير في مختلف الأسواق حول العالم. إذا كنتم مهتمين بأي من منتجاتنا أو ترغبون في مناقشة طلب خاص، فلا تترددوا في الاتصال بنا. نتطلع إلى بناء علاقات تجارية ناجحة مع عملاء جدد في المستقبل القريب.

مرشح التيار المتردد، مكثف إلكتروني للطاقة

مكثف لمُكاثر الخلايا