مصنع لتصنيع مكثفات التخميد لترانزستورات IGBT - مكثف تخميد ذو فقد منخفض مصنوع من غشاء البولي بروبيلين لتطبيقات IGBT - CRE

مصنع يُصنّع مكثفات التخميد لترانزستورات IGBT - مكثف تخميد ذو فقد منخفض مصنوع من غشاء البولي بروبيلين لتطبيقات IGBT - صورة مميزة من CRE

وصف مختصر:

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا قم بالتنزيل كملف PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

فيديو ذو صلة

التعليقات (2)

الابتكار والتميز والموثوقية هي القيم الأساسية لشركتنا. هذه المبادئ تشكل اليوم، أكثر من أي وقت مضى، أساس نجاحنا كشركة متوسطة الحجم ذات نشاط دولي.مكثف وصلة التيار المستمر لتطبيقات السيارات , مكثفات وصلة التيار المستمر في محولات الطاقة , مكثف غشاء البولي بروبيلين عالي الجهدنولي الجودة ورضا العملاء أولوية قصوى، ولذلك نتبع إجراءات صارمة لمراقبة الجودة. لدينا مرافق اختبار داخلية حيث تخضع منتجاتنا لاختبارات شاملة في جميع مراحل التصنيع. وبفضل أحدث التقنيات، نوفر لعملائنا إمكانية الإنتاج حسب الطلب.

مصنع لتصنيع مكثف التخميد لترانزستور IGBT - مكثف تخميد ذو فقد منخفض من غشاء البولي بروبيلين لتطبيقات IGBT - تفاصيل CRE:

سلسلة SMJ-P

نطاق الجهد المقنن: من 1000 فولت تيار مستمر إلى 2000 فولت تيار مستمر
نطاق السعة: من 0.1 ميكروفاراد إلى 3.0 ميكروفاراد
مسافة التثبيت: من 22.5 مم إلى 48 مم
التركيب: بولي بروبيلين معدني عازل، توصيل داخلي متسلسل
التطبيق: حماية ترانزستورات IGBT، دوائر خزان الرنين

تُصنع عناصر المكثف الجاف ذاتي الإصلاح باستخدام غشاء بولي بروبيلين معدني مُقطع بشكل موجي ومُشكّل خصيصًا، مما يضمن انخفاض الحث الذاتي، ومقاومة عالية للتمزق، وموثوقية عالية. ولا يُعتبر فصل الضغط الزائد ضروريًا. يُغلق الجزء العلوي من المكثف بمادة إيبوكسية صديقة للبيئة ذاتية الإطفاء. ويضمن التصميم الخاص انخفاضًا كبيرًا في الحث الذاتي.

IMG_0397.HEIC

جدول المواصفات

الجهد االكهربى	Un 700V.DC، Urms400Vac؛ Us1050V
	الأبعاد (مم)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

الجهد االكهربى	Un 1000V.DC، Urms500Vac؛ Us1500V
	الأبعاد (مم)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

الجهد االكهربى	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

الجهد االكهربى	Un 1700V.DC، Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

الجهد االكهربى	Un 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

الجهد االكهربى	Un 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

صور تفصيلية للمنتج:

دليل المنتجات ذات الصلة:

نعتمد في عملنا على مبادئ "خدمة العملاء، والجودة، والتكامل، والابتكار". "الصدق والأمانة" هما أساس إدارتنا في مصنعنا لإنتاج مكثف التخميد لترانزستور IGBT، وهو مكثف تخميد ذو فقد منخفض مصنوع من غشاء البولي بروبيلين لتطبيقات IGBT (CRE). سيتم توريد هذا المنتج إلى جميع أنحاء العالم، بما في ذلك غانا وهايتي وبرازيليا. تحظى منتجاتنا بثقة واسعة من المستخدمين، وتلبي احتياجاتهم الاقتصادية والاجتماعية المتغيرة باستمرار. نرحب بالعملاء الجدد والقدامى من جميع أنحاء العالم للتواصل معنا لبناء علاقات تجارية مثمرة وتحقيق النجاح المشترك.

بنك مكثفات فيلم التيار المتردد