مكثف تخميد IGBT ذو غشاء معدني

صورة مميزة لمكثف التخميد IGBT ذي الغشاء المعدني

وصف مختصر:

1. علبة بلاستيكية، مغلقة بالراتنج؛

2. أطراف توصيل نحاسية مطلية بالقصدير، سهلة التركيب لـ IGBT؛

3. مقاومة للجهد العالي، ودرجة حرارة انتقال زجاجي منخفضة، وارتفاع منخفض في درجة الحرارة؛

4. انخفاض مستوى ESL و ESR؛

5. تيار نبضي عالي.

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا قم بالتنزيل كملف PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

سلسلة SMJ-P

في تطبيقات إلكترونيات الطاقة، يتم توصيل مكثف التخميد بعقدة تبديل التيار العالي لغرض تقليل الحث الطفيلي للأسلاك الكهربائية.

يتسبب الحث الطفيلي في حدوث ارتفاع كبير عند إيقاف التشغيل (عندما يتم حظر التيار)، وإذا تجاوزت هذه الارتفاعات تصنيفات المكونات، فهناك مخاوف من حدوث فشل لاحق في أسوأ الحالات.

من خلال استخدام هياكل داخلية منخفضة الحث، وعلب راتنج مصبوبة اختيارية، ونهايات مخصصة، تم تصميم سلسلة SMJ-P للتبديل السريع IGBTS ويمكن أن تعمل كمخمدات ومرشحات إدخال عالية التيار وعالية التردد.

البيانات الفنية

الجهد االكهربى	Un 700V.DC، Urms400Vac؛ Us1050V
	الأبعاد (مم)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة المكافئة عند 100 كيلو هرتز (ملي أوم)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
الجهد االكهربى	Un 1000V.DC، Urms500Vac؛ Us1500V
	الأبعاد (مم)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
الجهد االكهربى	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
الجهد االكهربى	Un 1700V.DC، Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
الجهد االكهربى	Un 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
الجهد االكهربى	Un 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	المقاومة الكهروستاتيكية (مللي أوم)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	الشركات
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28