المنتجات الشائعة مكثف طرفي ذو أربعة دبابيس - مكثف IGBT Snubber ذو طبقة معدنية - CRE

المنتجات الشائعة مكثف طرفي ذو أربعة دبابيس - مكثف IGBT Snubber ذو طبقة معدنية - صورة مميزة CRE

وصف قصير:

إرسال البريد الإلكتروني لنا تحميل بصيغة PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

الفيديو ذات الصلة

ردود الفعل (2)

لدينا الآن مجموعة ماهرة وعالية الأداء لتقديم دعم ممتاز لعملائنا.نحن عادة نتبع مبدأ التوجه نحو العملاء والتركيز على التفاصيلمكثف الطاقة لوصلة العاصمة , مكثف الجهد العالي لملف تسلا , مكثف تحويل الرنين"العاطفة والصدق والخدمة السليمة والتعاون الشديد والتنمية" هي أهدافنا.نحن هنا نتوقع الأصدقاء في جميع أنحاء العالم!

المنتجات الشائعة مكثف طرفي ذو أربعة دبابيس - مكثف IGBT Snubber ذو طبقة معدنية - تفاصيل CRE:

معلومات تقنية

نطاق الحرارة الشغالة	الحد الأقصى لدرجة حرارة التشغيل. الأعلى، الحد الأقصى: +105 درجة مئوية درجة حرارة الفئة العليا: +85 درجة مئوية درجة حرارة الفئة السفلية: -40 درجة مئوية
نطاق السعة	0.1μF ~ 5.6μF
الفولطية	700 فولت تيار مستمر ~ 3000 فولت تيار مستمر
Cap.tol	±5%(ي)، ±10%(ك)
تحمل الجهد	1.5Un DC/10S
عامل التبدد	tgδ ≥0.0005 C ≥1μF f = 10 كيلو هرتزtgδ ≥0.001 C≥1μF f = 10 كيلو هرتز
مقاومة العزل	C≥0.33μF RS≥15000 MΩ (عند 20 درجة مئوية 100 فولت. تيار مستمر 60 ثانية) C＞0.33μF RS*C≥5000S (عند 20 درجة مئوية 100 فولت. تيار مستمر 60 ثانية)
تحمل تيار الإضراب	شكرا جزيلا
تثبيط اللهب	UL94V-0
متوسط العمر المتوقع	100000 ساعة (Un؛ Θhotspot≥85 درجة مئوية)
المعيار المرجعي	IEC61071;GB/T17702;

الجهد االكهربى			Un 700V.DC، Urms400Vac، Us1050V
	الأبعاد (مم)
Cn(μF)	ل (± 1)	تي(±1)	ح (± 1)	ESR @ 100 كيلو هرتز (mΩ)	إسل (نه)	دي في / دي تي (V / ميكرو ثانية)	إيبك (أ)	إيرمز عند 40 درجة مئوية عند 100 كيلو هرتز (أ)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


الجهد االكهربى			Un 1000V.DC، Urms500Vac، Us1500V
	الأبعاد (مم)
Cn(μF)	ل (± 1)	تي(±1)	ح (± 1)	إسر (مΩ)	إسل (نه)	دف/دت (الخامس/ميكروثانية)	إيبك (أ)	ايرمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

الجهد االكهربى			Un 1200V.DC، Urms550Vac، Us1800V
Cn(μF)	ل (± 1)	تي(±1)	ح (± 1)	إسر (مΩ)	إسل (نه)	دف/دت (الخامس/ميكروثانية)	إيبك (أ)	ايرمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

الجهد االكهربى			Un 1700V.DC، Urms575Vac، Us2250V
Cn(μF)	ل (± 1)	تي(±1)	ح (± 1)	إسر (مΩ)	إسل (نه)	دف/دت (الخامس/ميكروثانية)	إيبك (أ)	ايرمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

الجهد االكهربى			Un 2000V.DC، Urms700Vac، Us3000V
Cn(μF)	ل (± 1)	تي(±1)	ح (± 1)	إسر (مΩ)	إسل (نه)	دف/دت (الخامس/ميكروثانية)	إيبك (أ)	ايرمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

الجهد االكهربى			Un 3000V.DC، Urms750Vac، Us4500V
Cn(μF)	ل (± 1)	تي(±1)	ح (± 1)	إسر (مΩ)	إسل (نه)	دف/دت (الخامس/ميكروثانية)	إيبك (أ)	ايرمز
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ميزة

1. البلاستيك، مختومة بالراتنج.

2. يؤدي إدخال النحاس المطلي بالقصدير إلى سهولة التركيب لـ IGBT؛

3. مقاومة الجهد العالي، انخفاض tgδ، ارتفاع درجة الحرارة المنخفضة؛

4. انخفاض مستوى ESL وESR؛

5. ارتفاع النبض الحالي.

من خلال استخدام الهياكل الداخلية ذات الحث المنخفض، وحالات الراتنج المقولبة الاختيارية، والإنهاءات المخصصة، تم تصميم سلسلة SMJ-P للتبديل السريع لـ IGBTS ويمكن أن تكون بمثابة أجهزة تشويش ومرشحات إدخال عالية التردد للتيار العالي.

صور تفاصيل المنتج:

دليل المنتجات ذات الصلة:

وهي تلتزم بمبدأ "الصدق والجد والمغامرة والمبتكرة" لتطوير منتجات وحلول جديدة بشكل مستمر.إنها تعتبر نجاح المتسوقين بمثابة نجاح فردي.دعونا ننتج مستقبلًا مزدهرًا جنبًا إلى جنب للمنتجات الشائعة ذات المكثفات الطرفية ذات الأربعة دبابيس - مكثف IGBT Snubber ذو الفيلم المعدني - CRE، سيتم توريد المنتج إلى جميع أنحاء العالم، مثل: سوانسي، تونس، بورتو، نود دعوة العملاء من الخارج لمناقشة الأعمال التجارية معنا.يمكننا أن نقدم لعملائنا منتجات ذات جودة عالية وخدمة ممتازة.نحن على يقين من أنه سيكون لدينا علاقات تعاونية جيدة ونصنع مستقبلًا باهرًا لكلا الطرفين.

مكثف الفيلم المخصص